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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.19: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Simulationen und PAC-Messungen von Defektverteilungen in Si im Vergleich — •T. Dessauvagie und R. Vianden — Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn

Eine systematische PAC-Untersuchung (¹¹¹In) der unkorrelierten Schädigung von Si-Einkristallen durch Nachimplantation von ⁷⁴Ge zeigte eine deutliche Änderung des Hardcorewertes bei Messungen unter verschiedenen Orientierungen. Die Ergebnisse bestätigen das Simulationsprogramm simpac, das PAC-Spektren von simulierten Defektverteilungen in kubischen Einkristallen für Sondenkerne mit I=5/2 berechnet. Hierzu wird der elektrische Feldgradient einer zufälligen Defektkonstellation im Punktladungsmodell berechnet. Dies wird für eine große Anzahl von Gitterbereichen endlicher Ausdehnung durchgeführt und dann gemittelt. Mit Hilfe dieses Programms wurden außerdem Verteilungsstatistiken der Wechselwirkungsfrequenzen ω_i, des elektrischen Feldgradienten V_zz und des Asymmetrieparameters η erstellt. Insbesondere die Verteilungen der Wechselwirkungsfrequenzen zeigten eine asymmetrische Verteilung. Dies läßt darauf schließen, daß die zur Beschreibung der Daten häufig gemachte Annahme einer symmetrischen Linienverbreiterung (Gauss oder Lorentz) nicht gerechtfertigt ist.