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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.20: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Berechnung des elektronischen Transportes nahe dem Metall-Isolator Übergang — •Andre Löser und Heinrich Solbrig — TI Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz

Durch Anwendung des Büttiker-Ansatzes und einer Layer-KKR Methode zur Berechnung der Streumatrix einer Schicht, wird für realistische Materialmodelle (flüssige 3d-Übergangsmetalle, amorphes Silizium, Silizide, GeSi) aus dem Transmissionsverhalten der Widerstand berechnet. Es wird die Abh"angigkeit der Transmission von der Schichtdicke, der Energie im Bereich der Zustandsdichte-Gaps und der Konzentration (Silizide) untersucht. Besonderes Augenmerk gilt der Einbeziehung Kohärenz zerstörender Streuprozesse in die Leitwertberechnung. Dies ermöglicht auch für hochohmige Materialien die Berechnung von Leitfähigkeiten aus der Schichtdickenabh"angigkeit des Leitwertes.