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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.23: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Poröse III-V Halbleiter für Photonische Kristalle — •Marc Christophersen, Sergiu Langa, Jürgen Carstensen und Helmut Föll — Technische Fakultät, CAU zu Kiel, Kaiserstr. 2, 24143 Kiel

III-V Halbleiter sind interessante Materialien für photonische Kristalle; die notwendige Mikrostrukturierung ist jedoch mit konventioneller Mikrotechnologie schwierig. Eine Übertragung der bei Silizium erfolgreichen Strukturierung durch elektrochemische Ätzung bietet sich an. Die in der Regel wesentlich instabileren Oxide der III-V Halbleiter führen zu signifikanten Unterschieden in der Porenbildung; im Vergleich zu Silizium lassen sich z.B. kleinere Porendurchmesser, extrem kristall-anisotrope Poren und selbstinduzierte Durchmesservariationen erreichen.
Gezeigt werden elektrochemisch geätzte Poren in InP, GaP und GaAs mit sehr unterschiedlichen Porenmorphologien. Um gezielt Photonische Kristalle sowie Defekte in diesen zu bilden, benötigt man jedoch eine Vorstrukturierung der Poren. Erste Ergebnisse einer Vorstrukturierung in InP werden in dem Beitrag präsentiert.