Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.29: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Templat-induzierter struktureller Phasenübergang in organisch-anorganischen Übergitterstrukturen auf GeX₂ (X=S,Se) Basis — •M. Güngerich¹, L. Chen¹, P.J. Klar¹, W. Heimbrodt¹, N. Oberender², D. Kempe² und M. Fröba² — ¹FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg — ²Institut für Anorganische und Angewandte Chemie, Universität Hamburg

Hochgeordnete, mesoporöse Strukturen mit regelmäßigen Poren und lamellare Überstrukturen mit Periodizitäten im nm-Bereich lassen sich als organisch-anorganische Hybridstrukturen herstellen. Die organischen Moleküle ordnen sich in Lösung zu einer regelmäßigen Überstruktur (Templatstruktur) an, in deren Zwischenräumen Halbleiter wie GeX₂ (X=S,Se) aus Vorläuferverbindungen eingelagert werden können. Wir haben solche organisch-anorganischen Übergitterstrukturen und Referenzverbindungen auf GeX₂ Basis unter Verwendung verschiedener Vorläuferverbindungen bei unterschiedlichen Wachstumstemperaturen hergestellt. Röntgen- und TEM Untersuchungen bestätigen die regelmäßige Struktur der Übergitter. Mittels Ramanspektroskopie wurde die mikroskopische Struktur der GeX₂ Schichten und Referenzverbindungen untersucht. Mit steigender Wachstumstemperatur zeigen die Referenzproben den bekannten strukturellen Phasenübergang von der amorphen in die α-kristalline Phase. Im Gegensatz dazu zeigen die Übergitterstrukturen einen strukturellen Übergang von einer amorphen Struktur zu einem quasi-kristallinen Ge₄X_6+4/2 Netzwerk aus Ge₄X₁₀⁴⁻ Einheiten.