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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.30: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Hochgeordnete magnetische Halbleiternanodrähte aus (Cd,Mn)S und (Cd,Mn)Se — •P.J. Klar¹, L. Chen¹, W. Heimbrodt¹, F. Brieler², M. Fröba², A. Loidl³ und H.-A. Krug von Nidda³ — ¹FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg — ²Institut für Anorganische und Angewandte Chemie, Universität Hamburg — ³Institut für Physik, Universität Augsburg

Hochgeordnete magnetische Halbleiternanodrähte lassen sich durch Einbringen magnetischer (II,Mn)VI Halbleiter in MCM SiO₂ Matrizen herstellen. MCM-Matrizen sind mesoporöse Strukturen mit regelmäßigen Poren im nm-Bereich. Sie können aus organisch-anorganische Hybridstrukturen

durch Entfernen des organischen Templats synthetisiert werden. Es wurden sowohl paramagnetische (mit x<30%) als auch antiferromagnetische (mit x>90%) Cd_1−xMn_xS Drähte und paramagnetische Cd_1−xMn_xSe Drähte mit x<30% mittels magneto-optischer Spektroskopie und Elektronenspinresonanzspektroskopie untersucht. Die paramagnetischen Drähte zeigen ein starkes Quantenconfinement von ungefähr 200 meV. Mit zunehmendem x findet ein struktureller Phasenübergang von Zinkblende zur Wurtzitstruktur statt. Die Bandverbiegung in E_g(x) aufgrund der p-d Hybridisierung im Valenzband ist in den Drähten stärker als in Einkristallen.