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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.31: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Großer Magnetowiderstandseffekt von ferromagnetischen CEO-Metallfilmen auf InAs-Quantentopfstrukturen — •O. Kronenwerth, D. Grundler, Ch. Heyn und D. Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg

Es werden auf hochbeweglichen InAs-Quantum-Well-Heterostrukturen (HL) [1] dünne ferromagnetische Metallfilme (Fe, Ni₈₀Fe₂₀) aufgebracht. Dabei wird die Methode des Wachstums auf {110}-Spaltflächen verwendet (Cleaved Edge Overgrowth). Auf diese Weise erreichen wir ohmsche Kontakte zwischen dem Ferromagneten (FM) und dem zweidimensionalen Elektronensystem in InAs mit einem spezifischen Grenzflächenwiderstand kleiner als 10⁻⁷ Ω cm² in ex-situ gespaltenen Heterostrukturen. Wir haben eine Methode entwickelt, den auf der Kante aufgewachsenen ferromagnetischen Film durch Schattenmasken zu mikrostrukturieren. Bei Transportexperimenten im Magnetfeld erhalten wir bei den so präparierten Proben große Magnetowiderstands-Effekte ( R(8T)−R(0T)/R(0T) ≈ 180%). Aufbauend auf dieser Präparationsmethode sollen mit diesen FM-HL-Strukturen Experimente zum spinpolarisierter Transport durchgeführt werden [2]. Diese Arbeit wurde unterstützt durch die DFG über den SFB 508 ’Quantenmaterialien’ und das NEDO-Programm Spin-Electronics.

[1] A. Richter et al., Appl. Phys. Lett. 77, 3227 (2000)

[2] D.Grundler, Ballistic Spin-filter Transistor, eingereicht bei Phys. Rev. B (Rapid Commu.)