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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.3: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Elektronische Transportuntersuchungen an SiGe-Quantenpunkt-Heterostrukturen — •K.-M.  Haendel¹, C.  Lenz¹, U.  Denker², O.G.  Schmidt², R.J.  Haug¹, and K.  Eberl² — ¹Institut für Festkörperphysik, Appelstr. 2, D-30167 Hannover — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart

Wir haben bei tiefen Temperaturen (< 0,4 K) elektronische Transportuntersuchungen durch selbstorganisierte Germanium-Quantenpunkte in einer SiGe/Si/Ge/Si/SiGe-Tunnelstruktur durchgeführt und konnten bei hohen Magnetfeldern eine deutliche Hysterese in der Strom-Spannungskennlinie beobachten. In hohen Magnetfeldern (B > 2 T) steigt die Leitfähigkeit bei Spannungen von einigen 100 mV sprunghaft von wenigen µS auf einige mS. Der Sprung in der Leitfähigkeit nimmt mit steigendem Magnetfeld zu. Oberhalb von 0,7 K lässt sich der Effekt nicht mehr beobachten. Der Schalteffekt ist sowohl bei parallel zur Stromrichtung verlaufendem Magnetfeld als auch bei senkrecht verlaufendem Magnetfeld sichtbar, die gemessenen Leitfähigkeiten sind bei senkrechtem Magnetfeld jedoch geringer. Wir konnten den Effekt bei unterschiedlich gewachsenen Strukturen beobachten.