Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.41: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Beschreibung des Ladungsträgertransports in mikrokristallinem Silizium im Trappingmodell — •T. Weis¹, S. Brehme², R. Lipperheide¹ und U. Wille¹ — ¹Abteilung Theoretische Physik, Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin — ²Abteilung Silizium-Photovoltaik, Hahn-Meitner-Institut Berlin, Kekuléstr. 5, 12489 Berlin

Im Trappingmodell [1] wird angenommen, dass sich an den Korn- oder Kolumnengrenzen von mikrokristallinem Silizium Potentialbarrieren ausbilden, die wesentlich den Ladungsträgertransport beeinflussen. Einen Hinweis auf die Existenz solcher Barrieren liefern zum Beispiel Messungen der Hall-Mobilität, deren Temperaturabhängigkeit oberhalb der Raumtemperatur durch eine Aktivierungsenergie gekennzeichnet werden kann [2].
In einer eindimensionalen Beschreibung wird das Trappingmodell angewendet, um unter Berücksichtigung von Tunneleffekten Barrierenhöhen aus den Hall-Mobilitätsdaten zu gewinnen und diese dann mit Hilfe von verschiedenen Annahmen über die Verteilung der Trappingzustände und die Natur des Transportmechanismus zu interpretieren. Auf diese Weise soll Aufschluss darüber gewonnen werden, inwieweit das Trappingmodell in der Lage ist, die Transporteigenschaften von mikrokristallinem Silizium angemessen wiederzugeben.
[1] J. Y. W. Seto, J. Appl. Phys. 46, 5247 (1975).
[2] S. Brehme, P. Kanschat, W. Fuhs, Mat. Res. Soc. Symp. 609 (2000).