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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.42: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Rauschmessungen an AFM-strukturierten Tunnelbarrieren — •A. Nauen¹, U. F. Keyser¹, R. J. Haug¹ und K. Eberl² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart

Durch direkte Strukturierung mit einem Rasterkraftmikroskop können Tunnelbarrieren in GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen erzeugt werden (1). Der zugrundeliegende Transportprozeß durch diese Strukturen ist ein 2d-2d-Tunneln. Wir präsentieren Rauschmessungen an Barrieren verschiedener Höhe. Die Messergebnisse weichen dabei deutlich vom klassisch erwarteten Schrotrauschen nach S_Schrot=2eI ab. Bei großen Barrierehöhen und Strömen finden sich in den Spektren lorentzartige Frequenzanteile, die auf eine Modulation des Tunnelstromes durch Störstellen hinweisen.

(1) H. W. Schumacher et al., APL 75, 1107 (1999)