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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.57: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Beeinflussung der Ladungsträgerbeweglichkeit im 2DEG durch fokussierte Ionenimplantation — •A. Goldschmidt, J. Koch und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, D-44780 Bochum

Durch gezieltes Einbringen von Störstellen in eine GaAs/Al_xGa_1−xAs-Heterostruktur (HEMT) läßt sich die Ladungsträgerbeweglichkeit eines 2DEG beeinflussen, ohne Wachstums- bzw. Meßparameter, wie Spacerbreite oder Temperatur zu verändern.
Durch fokussierte Implantation (Focused Ion Beam) von 30 keV Au⁺-Ionen konnten wir die Ladungsträgerbeweglichkeit von 2· 10⁶ cm²/Vs auf 1· 10⁴ cm²/Vs mit einer Ionendosis von jeweils 5· 10⁹ cm⁻² schrittweise jeweils um den Faktor drei verringern. Die Elektronendichte wurde dabei nur geringfügig verändert. Des weiteren wurden Ga⁺-Ionen mit Energien von 10 keV bis 100 keV zur Implantation benutzt. Es werden Quanten-Hall-Messungen an diesen implantierten Proben dargestellt und diskutiert.
Durch die gezielte Verringerung der Ladungsträgerbeweglichkeit der Hall-Proben kann z.B. die Abhängigkeit der Breite der Quanten-Hall-Plateaus von der Ladungsträgerbeweglichkeit untersucht werden. Mit Hilfe der fokussierten Ionenimplantation kann ebenfalls die Ladungsträgerbeweglichkeit in ausgewählten Bereichen einer Hall-Probe lokal verändert werden. Messungen hierzu werden präsentiert.
Gefördert vom Evangelischen Studienwerk Haus Villigst, Schwerte