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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.61: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

STM-Untersuchung von Selbstorganisierten Dysprosiumsilizid-Drähten auf Si(001) — •S. Becker, C. Preinesberger, S. Vandré, T. Kalka und M. Dähne — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Während Seltenerdsilizide auf der Si(111)-Oberfläche in Form von zweidimensionalen epitaktischen Schichten aufwachsen, konnten wir vor kurzem auf der Si(001)-Oberfläche das selbstorganisierte Wachstum homogener eindimensionaler Nanostrukturen nachweisen [1]. Hier zeigen wir in detaillierten STM-Untersuchungen, dass sich in Abhängigkeit von den Wachstumsbedingungen zwei verschiedene Typen von Nanodrähten bilden.

Bei niedrigen Temperaturen entstehen dicht gepackte dünne Drähte, die durch eine 2x7-Überstruktur charakterisiert sind. Eine Kontrastumkehr bei niedrigeren Tunnelspannungen weist auf einen starken Einfluss der elektronischen Struktur hin. Bei höheren Temperaturen formen sich bis zu 200 nm lange freistehende Nanodrähte mit wesentlich grösseren Querschnitten, die vermutlich aus verspanntem hexagonalem DySi₂ bestehen.

[1] C. Preinesberger, S. Vandré, T. Kalka, M. Dähne-Prietsch, J. Phys D 31, 43 (1998)