Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.62: Poster

Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Einfluß der Größe von selbstorganisierten InAs/AlAs-Quantenpunkten auf Lumineszenz und resonantes Tunneln — •K. Pierz¹, Z. Ma¹, I. Hapke-Wurst², U. Keyser², U. Zeitler² und R. J. Haug² — ¹Physikalisch-Technische Bundesanstalt PTB, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig — ²Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, 30167 Hannover

Selbstorganisierte InAs-Quantenpunkte (QP) sind mittels MBE-Wachstum in die AlAs-Barriere von resonanten Tunneldioden und für Photolumineszenz-Messungen in eine 2 x 20 nm AlAs-Matrix eingebettet worden. Die Emissionsbande der QP liegt im roten Spektralbereich und sie verschiebt sich mit zunehmender InAs-Bedeckung kontinuierlich von knapp 2,0 eV (InAs-Wetting-Layer) bis unterhalb 1,6 eV. AFM-Aufnahmen bestätigen, dass diese Verschiebung auf einer Zunahme der QP-Größe beruht. Mit diesen Ergebnissen läßt sich die beobachtete Verschiebung der ersten Stromstufe zu kleineren Spannungen in den I-U-Kennlinien der resonanten Tunneldioden mit höheren InAs-Bedeckungen verstehen. Durch die niedrigere Grundzustandsenergie in den großen QP wird die Energiedifferenz zum Ferminiveau im Emitter verringert und das Einzelelektronentunneln durch diese QP tritt schon bei kleineren Spannungen auf.