DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Hamburg 2001 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.62: Poster

Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Einfluß der Größe von selbstorganisierten InAs/AlAs-Quantenpunkten auf Lumineszenz und resonantes Tunneln — •K. Pierz1, Z. Ma1, I. Hapke-Wurst2, U. Keyser2, U. Zeitler2 und R. J. Haug21Physikalisch-Technische Bundesanstalt PTB, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig — 2Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, 30167 Hannover

Selbstorganisierte InAs-Quantenpunkte (QP) sind mittels MBE-Wachstum in die AlAs-Barriere von resonanten Tunneldioden und für Photolumineszenz-Messungen in eine 2 x 20 nm AlAs-Matrix eingebettet worden. Die Emissionsbande der QP liegt im roten Spektralbereich und sie verschiebt sich mit zunehmender InAs-Bedeckung kontinuierlich von knapp 2,0 eV (InAs-Wetting-Layer) bis unterhalb 1,6 eV. AFM-Aufnahmen bestätigen, dass diese Verschiebung auf einer Zunahme der QP-Größe beruht. Mit diesen Ergebnissen läßt sich die beobachtete Verschiebung der ersten Stromstufe zu kleineren Spannungen in den I-U-Kennlinien der resonanten Tunneldioden mit höheren InAs-Bedeckungen verstehen. Durch die niedrigere Grundzustandsenergie in den großen QP wird die Energiedifferenz zum Ferminiveau im Emitter verringert und das Einzelelektronentunneln durch diese QP tritt schon bei kleineren Spannungen auf.

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2001 > Hamburg