Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.68: Poster

Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Ionenstrahlsynthese vergrabener CdSe Nanokristalle in SiO2 — •Walter Hipp, Helmut Karl, Ingo Grosshans und Bernd Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg

Nanokristalline Ausscheidungen des II-VI-Verbindungshalbleiters CdSe wurden durch sequentielle Ionenimplantation der Elemente Cd und Se hergestellt. Als Substrat diente thermisches Siliziumdioxid auf (100) Silizium. Anschließendes Tempern im RTA bei Temperaturen zwischen 800 und 1100 C führte zur Bildung nanokristalliner CdSe-Ausscheidungen. Mit dieser Technik ist es möglich optisch aktive CdSe Nanokristallite mit hoher Dichte in einer optisch transparenten Matrix zu synthetisieren. Dabei ist er Einfluss des quantum confinements auf die optischen Eigenschaften von besonderem Interesse. Zur Erzielung einer möglichst homogenen Kristallitgrößenverteilung wurden Multi-Energie Implantationen durchgeführt. Die implantierte Dosis für jedes Element lag zwischen 2e16 und 8e16 cm-2. Das Diffusionsverhalten, die Größenverteilung, Orientierung und Struktur der Kristallite in den Proben wurde mit XRD, SIMS und RBS untersucht. Ausgewählte Proben wurden zusätzlich mittels TEM und AFM untersucht, um direkte Informationen über die Größenverteilung zu erhalten. Ausserdem werden Messungen zur Untersuchung der Photolumineszenz-Eigenschaften der Nanokristalle vorgestellt.