Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.70: Poster

Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Ladungsträgereinfang in verspannungsinduzierte Quantenpunkte — •Christoph Lingk¹, K. Stock¹, G. von Plessen¹, J. Feldmann¹, D. S. Citrin², H. Lipsanen³, M. Sopanen³ und J. Tulkki³ — ¹Lehrstuhl für Photonik und Optoelektronik, Sektion Physik und CeNS, Ludwig-Maximilians-Universität München, Amalienstr. 54, D-80799 München — ²Department of Physics and Materials Research Center, Washington State University, Pullman, Washington 99164-2814, USA — ³Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology, Otakaari 1M, FIN-02150 Espoo, Finnland

Der Ladungsträgereinfang in verspannungsinduzierte Quantenpunkte wird untersucht. Diese Quantenpunkte entstehen durch Aufbringen von selbstorganisierten InP-Inseln über einem vergrabenen InGaAs-Quantenfilm. In diesem Experiment wird der Abstand des Quantenfilms von der Probenoberfläche variiert, um Einschlußpotentiale verschiedener Tiefe herzustellen. Ladungsträger werden im Quantenfilm optisch erzeugt, und die Lumineszenz aus den Quantenpunkten wird sowohl zeitintegriert, als auch zeitaufgelöst untersucht. Die Einfangrate der Ladungsträger aus dem Quantenfilm in die Quantenpunkte nimmt mit zunehmendem Abstand D des Quantenfilms von der Oberfläche, das heißt flacher werdendem Einschlußpotential der Quantenpunkte, stark zu[1]. Außerdem hängt die nichtstrahlende Rekombinationsrate der Ladungsträger in den Quantenpunkten nicht von D ab, was darauf schließen läßt, daß Oberflächenrekombination für diese Ladungsträger keine Rolle spielt.

[1] C. Lingk, et al., Phys. Rev. B 62, 13588 (2000).