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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.72: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Eindimensionale Plasmonen in GaAs-AlGaAs-Quantendrähten — •A. F. Dethlefsen, C. Schüller, Ch. Heyn und D. Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg

Mit Hilfe der Raman-Spektroskopie werden von uns elektronische Anregungen in niederdimensionalen Elektronensystemen untersucht. Die inelastische Lichtstreuung ermöglicht die direkte Beobachtung von kollektiven elektronischen Anregungen. Auf der Grundlage von Polarisationsauswahlregeln kann zwischen Spindichte- und Ladungsdichteanregungen unterschieden werden. Die Experimente wurden an mittels holographischer Lithographie hergestellten tief-mesa-geätzten Ga-As-Quantendrähten mit Drahtbreiten um 100 nm durchgeführt. Wir haben die Wellenvektorabhängigkeit E(q) des Intrasubband-Plasmons eingehend untersucht. Diese weist entgegen der wurzelförmigen Dispersion, die wir in 2D-Referenzproben beobachten, eine nahezu lineare q-Abhängigkeit auf, was auf ein eindeutiges 1D-Verhalten schließen läßt. Diese Messungen bestätigen erstmalig Untersuchungen, die von Goni et al. 1991 vorgestellt wurden [1].

[1] A. R. Goni et al., Phys. Rev. Lett. 67, 3298 (1991)