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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.75: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Einfluß von Geometrie und Dotierung auf die Quantenzustände in AlGaAs/GaAs V-Graben Quantendrähten — •T. Bronger¹, A. Schwarz¹, F. Macherey¹, Th. Schäpers¹, A. Kaluza¹, H. Hardtdegen¹, H. Lüth¹, R. Carius², A.C. Maciel³, M. Hauert³, R. Roshan³ und J.F. Ryan³ — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — ²Insitut für Photovoltaik, FZ Jülich — ³Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, Oxford OX1 3PU, UK

Die elektronischen Zustände in V-Graben Quantendrähten werden von Materialparametern und geometischen Faktoren beeinflußt. Ziel war es, die Abhängigkeit der Energieniveaus in AlGaAs/GaAs V-Graben Drähten von diesen beiden Variablen zu ermitteln. Zu diesem Zweck wurden Quantendrähte mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie in einer zweidimensionalen Parametermatrix mit unterschiedlichen Kanaldicken einerseits und verschiedenen Dotierungen andererseits hergestellt. Mittels Photolumineszenzuntersuchungen konnten die zwei untersten angeregten elektronischen Zustände des Quantendrahtes identifiziert und ihre Energie bestimmt werden. Das sich ergebende Bild entspricht qualitativ der Erwartung, daß sich die Quantendrahtzustände bei größer werdendem Einschluß bzw. größer werdender Dotierung des Barrierenmaterials zu höheren Energien verschieben. Temperaturabhängige Messungen geben einen Einblick in die Art und Weise, wie der erste angeregte Zustand im Quantendraht mit Ladungsträgern versorgt wird.