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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.79: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Einzelelektronen-Tunneln durch Split-Gate Transistoren — •Claus Fühner¹, R. J. Haug¹ und A. Wieck² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover — ²Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum

Mittels Elektronenstrahllithographie werden Split-Gate Einzelelektronen-Tunneltransistoren auf GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen hergestellt. Sowohl die differentielle als auch die DC-Leitfähigkeit dieser Strukturen wird für verschiedene Konfigurationen der Gate-Spannungen vom Regime der Coulomb-Blockade bis zum Limit einer starken Kopplung des Dots an die Zuleitungen untersucht. Im schwach angekoppelten Dot kann ein Anregungsspektrum der quantisierten elektronischen Zustände auf der Elektroneninsel beobachtet werden. Auch Messungen zur Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit werden vorgestellt.