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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.87: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Herstellung und Charakterisierung freitragender zweidimensionaler Elektronengase — •E. Höhberger¹, J. Kirschbaum¹, F.W. Beil¹, R.H. Blick¹, J.P. Kotthaus¹, W. Wegscheider² und M. Bichler³ — ¹Sektion Physik und Center for Nanoscience, LMU München, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München — ²Institut für angewandte und experimentelle Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ³Walter Schottky Institut der TU München, Am Coulombwall 3, 85748 Garching

Freitragende zweidimensionale Elektronengase können in GaAs/AlGaAs Heterostrukturen, die über eine Al_0.8Ga_0.2As Opferschicht verfügen, hergestellt werden. Eine Kombination anisotroper und isotroper Ätzschritte dient der Definition der zu unterätzenden Struktur sowie der Entfernung der Opferschicht. Proben in Hallbar- und Quantendotgeometrie sind Gegenstand unserer Arbeit. In beiden Fällen kann das Elektronensystem durch Magnetotransportmessungen charakterisiert werden. Die beschriebenen Strukturen eignen sich zur Untersuchung der Wechselwirkungen in niedrigdimensionalen gekoppelten Elektron-Phonon-Systemen. Ferner bieten sie die Möglichkeit, die Antwort des Elektronensystems auf mechanische Verspannungen zu erforschen.