Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 9: Halbleiterlaser

HL 9.13: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 18:30–18:45, S2

Einfluß von Doppelbrechung auf die räumlichen Emissionseigenschaften von VCSELn — •Tobias Gensty, Christian Degen, Ingo Fischer und Wolfgang Elsäßer — Technische Universität Darmstadt, Institut für Angewandte Physik, Schloßgartenstraße 7, 64289 Darmstadt

Wir untersuchen das Emissionsverhalten von Oberflächenemittierenden Halbleiterlasern mit Vertikalresonator (VCSEL). Oxidgeführte VCSEL mit einer Aperturgröße von mehr als 10 µm zeigen ein ausgeprägtes Transversalmodenverhalten. Dieses charakterisieren wir durch Messungen der Intensitätsverteilung des Nahfeldes, des optischen Spektrums, sowie des Polarisationsverhaltens. Die von uns untersuchten Laser emittieren Licht vergleichbarer Intensität in zueinander senkrechten Polarisationsrichtungen. In diesem Beitrag diskutieren wir die Symmetrieeigenschaften orthogonal polarisierter Komponenten des Nahfeldes. Die beobachteten Unterschiede werden im Zusammenhang mit der Doppelbrechung im Halbleiterkristall betrachtet.