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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Halbleiterlaser

HL 9.1: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 15:30–15:45, S2

Direkte spektroskopische Messung von verspannungsabhängigen Größen an Hochleistungs Laser Dioden — •Axel Gerhardt¹, Jens W. Tomm¹, Arthur Bärwolff¹ und Jörg Donecker² — ¹Max-Born-Institut für nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Max-Born-Str. 2a, 12489 Berlin, Germany — ²Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany

Als zerstörungsfreie Technik zur Untersuchung der Verspannung von Hochleistungs-Laserdioden stellen wir die Fourier-Transform Photostrom (PC) - Spektroskopie vor.
Untersucht wurden Laserdioden (LD), die auf Wärmesenken mit unterschiedlichem Ausdehnungskoeffizienten montiert wurden. Eine zweite Gruppe von Untersuchungsobjekten stellten Dioden dar, bei deren Aufbau unterschiedlicher thermischer Streß eingetragen wurde. Schließlich wurden in einer dritten Gruppe Dioden auf Piezoelemente aufgebracht und so definiert künstlich verspannt.
Für die Messung des Photostromsspektrums wird der Detektor in einem konventionellen FTIR-Spektrometer durch die zu untersuchende Diode ersetzt und wie ein konventionelles Detektorsignal ausgewertet.
Bei der Analyse der Photostromspektren wurden im Bereich der Fundamentalabsorption schwache Änderungen des Anstiegs des PC-signals als Interbandübergänge identifiziert. Die PC-Spektren der unterschiedlich verspannten LD‘s zeigen eine spektrale Verschiebung dieser Übergänge der Elektronen vom Schwehrloch- bzw. Leichtloch- band ins Leitungsband. Die energetische Position der Übergänge stellt ein sehr empfindliches Maß für die Verspannung der aktiven Zone dar.