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M: Metallphysik

M 12: Grenzflächen

M 12.4: Fachvortrag

Montag, 26. März 2001, 18:00–18:15, S12

Atomare und elektronische Struktur von Cu/α-Al₂O₃ Grenzflächen — •Christina Scheu, Wilhelm Stein, Thomas Wagner und Gerhard Dehm — Max-Planck Institut für Metallforschung, Seestr. 92, D-70174 Stuttgart

Mit Hilfe der Synthese von analytischer und hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie wurde die atomistische und elektronische Struktur von Cu/(1120) α-Al₂O₃ und Cu/(0001) α-Al₂O₃ Grenzflächen bestimmt. Die gemessenen Elektronenenergieverlustspektren bzw. die mit den verschiedenen Ionisationskanten verbundenen Nahkantenfeinstrukturen weisen auf inter-metallische Cu-Al Bindungen an der Grenzfläche Cu/(1120) α-Al₂O₃ hin, während an der Cu/(0001) α-Al₂O₃ Grenzfläche ionisch-kovalente Cu-O Bindungen auftreten. Diese Informationen werden teilweise durch den Vergleich mit Cu-L_2,3-Kanten von verschiedenen Kupferoxiden und Kupferaluminiden gewonnen. Die so erhaltene Informationen werden mit Ergebnissen von quantitativen hochauflösenden transmissionselektronenmikroskopischen Untersuchungen korreliert und zur Erstellung von Strukturmodellen der Cu/Al₂O₃-Grenzfläche verwendet. Es wurden außerdem Cu/Al₂O₃-Grenzflächen untersucht, bei denen die Bindung an der Grenzfläche durch Dotierung bzw. Verunreinigungen modifiziert wurde.