Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

M: Metallphysik

M 30: Elektronische Eigenschaften

M 30.3: Fachvortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 17:45–18:00, S5.3

Bindungselektronendichten in intermetallischen und anorganischen Verbindungen — •Christian Elsässer — Max-Planck-Institut für Metallforschung, Seestraße 92, D-70174 Stuttgart

Die Bindungselektronendichte ist definiert als Unterschied zwischen der Elektronendichte in einem Kristall und einer Überlagerung von Elektronendichten freier, neutraler, sphärischer Atome auf Kristallgitterplätzen. Sie illustriert die Umverteilung von Elektronen bei der Kondensation von Atomen zum Kristall und gibt damit eine Information zum interatomaren Bindungscharakter. Experimentell lassen sie sich aus Strukturfaktoren ableiten, die durch Röntgen- oder Elektronenbeugung gemessen werden. Dabei werden üblicherweise von gemessenen Kristallstrukturfaktoren berechnete Atomstrukturfaktoren abgezogen. In diesem Vortrag werden theoretische Bindungselektronendichten aus Kristall- und Atomdichten, die beide in derselben Weise mit einer ab-initio Mixed-Basis-Pseudopotential-Methode der Dichtefunktionaltheorie berechnet werden, diskutiert. Betrachtet werden die intermetallischen Verbindungen NiAl und FeAl sowie die Ionenkristalle MgO und SrTiO3.

100% | Bildschirmansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2001 > Hamburg