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M: Metallphysik

M 33: Postersitzung

M 33.27: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 15:15–19:00, Foyer S4, CCH

Nanokristallisation in dünnen amorphen Ta-Si-N Schichten — •Susanne Schneider¹, Matthias Bicker¹, Cay- Uwe Pinnow¹, Michael Seibt² und Ulrich Geyer¹ — ¹I. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, 37073 Göttingen — ²IV. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, 37073 Göttingen

Es werden Untersuchungen zur Nanokristallisation von amorphen Ta-Si-N-Diffusionsbarrieren-Schichten vorgestellt, die zwischen 800^∘C und 1000^∘C eine Stunde lang augelagert wurden. Bei 800^∘C bilden sich als Inhomogenitäten kleine Cluster mit einem Durchmesser von ca. 2nm wobei die amorphe Struktur zunächst erhalten bleibt. Eine bei 900^∘C ausgelagerte Probe enthält Nanokristalle aus TaN mit einem Durchmesser von 2nm als auch nicht-kristalline Inhomogenitäten, die Abmessungen von 75-100nm haben und einen erhöhten Tantalgehalt besitzen. Nach Auslagerung bei 1000^∘C hat sich eine nahezu vollständig kristalline Struktur gebildet, die 4nm große TaN-Nanokristalle und 15nm große Ta₅Si₃-Nanokristalle enthält. Die Untersuchungen werden mit Experimenten mit anomaler Kleinwinkelstreuung verglichen. Diskutiert werden mögliche Mechanismen, die diese strukturellen Änderungen bewirken.