Hamburg 2001 – scientific programme

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M: Metallphysik

M 7: Quasikristalle III

M 7.5: Fachvortrag

Monday, March 26, 2001, 16:15–16:30, S5.3

Konzentrations- und Temperaturabhängiger elektronischer Transport in (a)-, (i)- und (d)-AlMn — •Daniel Decker, Roland Haberkern, Jose Barzola-Quiquia und Peter Häussler — TU Chemnitz, 09107 Chemnitz

Viele Quasikristalle zeigen starke Transportanomalien, die hauptsächlich auf den strukturbildenden bzw. -stabilisierenden Hume-Rothery-Mechanismus zurückgeführt werden. Ausgehend von amorphen (a) Precursorphasen erscheint der Vergleich solcher Transportanomalien von ikosaedrischen (i) und dekagonalen (d) Phasen interessant. Wir untersuchen AlMn, da es als Massivmaterial in einem weiten Konzentrationsbereich (ca. 14-27 at% Mn) als (i)- aber auch (d)-Phase herstellbar ist. Es werden dünne Schichten AlMn mit definierter Geometrie bei T=80 K aufgedampft. Die dabei entstehenden Schichten in (a)-Phase werden (1) bis T=300 K, (2) bis ca. T=850 K getempert, wobei der Widerstand R(T) in situ gemessen wird. Es bilden sich Phasen, deren Widerstand bei T=300 K bis zu viermal höher als der der (a)-Phase ist. Anschließend wird der Widerstand R(T) über den Bereich T=1,4 K bis T=300 K sowie der Hallwiderstand ϱ _H(T,B) und der Magnetowiderstand ϱ _B(T,B) bei Feldstärken bis B=7,5 T ermittelt. Es wird diskutiert, wie sich aus der (a)-Phase heraus Transportanomalien in R(T), ϱ _H(T,B) und ϱ _B(T,B) etablieren.