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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.10: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

LEED Reflexprofilanalyse vicinaler Oberflächen: Simulation vs. Experiment — •R. Hild, J. Bauer und M. Horn-von Hoegen — Institut für Laser- und Plasmaphysik, Universität Essen, 45117 Essen

Adsorbatinduzierte Facettierung vicinaler Si-Substrate wird erfolgreich für die selbstorganisierte Nanostrukturierung eingesetzt. Neben der lokalen Charakterisierung mit STM kann die Korrelation und Anordnung der so erzeugten Stufenfolgen, Stufenbündel bzw. wohlorientierter Facetten wesentlich einfacher, schneller und für einen repräsentativen Bereich der Oberfläche mit hochauflösender Elektronenbeugung (SPA-LEED) bestimmt werden.

Die Stufenfolge führt hierbei zu einer LEED Reflexaufspaltung, die durch die mittlere Terrassenbreite, deren Verteilungsfunktion und die Stufenhöhe bestimmt ist. Die Reflexprofile lassen sich mittels Fouriertransformation eindimensionaler Stufenverteilungen in der kinematischen Näherung simulieren (WinSTAR verfügbar unter http://www.ilp.physik.uni-essen.de/hvh). Durch Variation der Elektronenenergie, d.h. des vertikalen Impulsübertrags, erhält man so (k_∥,k_⊥)-Schnitte des reziproken Raums. Durch Variation der möglichen Stufenhöhen- und Terrassenbreitenverteilungen und deren Korrelation ist es leicht möglich, qualitativ verschiedene Morphologien zu simulieren und auch quantitative Ergebnisse für die Verteilungsfunktionen zu erhalten. Dies soll anhand des Beispiels Silberadsorption auf vicinalem Si(001) verdeutlicht werden.