Hamburg 2001 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.30: Poster

Monday, March 26, 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

k^→-aufgelöste inverse Photoemission an der c(2×2) rekonstruierten SiC-(001)Oberfläche — •R. Ostendorf, M. Hagedorn, C. Benesch und H. Zacharias — Physikalisches Institut, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster

Wir haben mittels inverser Photoemission die Struktur der unbesetzten elektronischen Zustände der c(2×2)-rekonstruierten 3C-SiC(001)-Oberfläche untersucht. Dabei konnten einige elektronische Zustände eindeutig der Oberfläche zugeordnet werden. Die durch winkelaufgelöste Messungen erhaltene Dispersion dieser Oberflächenzustände erlaubt einen Vergleich der experimentellen Ergebnisse mit theoretischen Berechnungen der Oberflächenbandstruktur. Insbesondere ist es durch die energetische Lage der Oberflächenzustände am Γ-Punkt bezüglich der Volumenbandlücke (innerhalb oder oberhalb) im Vergleich mit den Rechnungen möglich, zwischen dem „staggered dimer“- und dem „bridging dimer“-Modell für die geometrische Struktur der Oberfläche zu unterscheiden.