Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.32: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Untersuchungen zur elektronischen Struktur von reinem und gasbedecktem SrTiO3 — •Anissa Gunhold, Martin Frerichs, Wolfgang Maus-Friedrichs und Volker Kempter — Institut für Physik und Physikalische Technologien, Leibnizstr. 4, 38678 Clausthal-Zellerfeld
Die Verwendung von SrTiO3 als Sauerstoffsensor typischerweise im Bereich von 1273 K ist von besonderer Bedeutung für die Anwendungen im Gebiet der Abgaskatalyse. Durch Dotierungen kann man die elektrischen Eigenschaften des SrTiO3 beeinflussen. Fe-dotierte (0,03%) und La-dotierte (5%) SrTiO3 Kristalle wurden im Ultrahochvakuum (UHV) durch Heizen auf 1073 K gereinigt. Zur quantitativen Untersuchung der chemischen Zusammensetzung wurde X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) zur Bestimmung der elektronischen Struktur wurde Metastable Impact Electron Spectroscopy (MIES) und Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy (UPS) eingesetzt. Die Resultate werden mit jenen für TiO2 (110) und (100) verglichen [1], die Topologie wurde mittels Sekundär-Elektronen- Mikroskopie charakterisiert. Die Änderung der Struktur der Oberfläche hervorgerufen durch reaktive Gase wie H2O, CO2, O2,wurde ebenfalls mit MIES und UPS (HeI) untersucht. [1] Brause M., Skordas S., Kempter V.; Surf. Science 445; 224-234; 2000