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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.38: Poster
Monday, March 26, 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Die Fermifläche von 2H-NbSe2 — •O. Seifarth1, K. Rossnagel1, L. Kipp1, M. Skibowski1, D. Voß2, P. Krüger2, A. Mazur2 und J. Pollmann2 — 1Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Christian-Albrechts-Universität zu Kiel, 24098 Kiel, Germany — 2Institut für Festkörpertheorie, Universität Münster, 48149 Münster, Germany
Der Schichtkristall 2H-NbSe2 stellt in der Gruppe der Übergangsmetalldichalkogenide einen besonderen Vertreter dar. Bei tiefen Temperaturen bildet sich eine CDW-Phase aus, die gleichzeitig mit einer Supraleitungsphase existiert. Um Aussagen über den CDW-bildenden Mechanismus zu gewinnen, werden hochauflösende ARPES-Messungen mit DFT-Bandstrukturrechnungen zur Extrahierung der dreidimensionalen Fermifläche von 2H-NbSe2 verglichen. Es zeigt sich, daß alle theoretisch vorhergesagten Strukturen der Fermifläche mit ARPES-Messungen detektierbar sind und gut übereinstimmen. Mögliche Mechanismen der CDW-Instabilität werden anhand der experimentellen Daten diskutiert.