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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.49: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Der Einfluß des Kristallgitters auf das dreidimensionale epitaktische Wachstum — •Michael Biehl1,2, Martin Ahr1, Martin Kinne3 und Wolfgang Kinzel1 — 1Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — 2SFB 410, Universität Würzburg — 3Lehrstuhl für Physikalische Chemie II, Egerlandstr. 3, D-91058 Erlangen
Wir diskutieren die Ergebnisse von Computersimulationen epitaktisch wachsender Oberflächen mit verschiedenen Gitterstrukturen: einfach kubisch (001), kubisch raumzentriert (001), einfach hexagonal (001) und hexagonal dichteste Kugelpackung (001). Unter dem Einfluß einer Schwoebel-Barriere entstehen dreidimensionale Hügelstrukturen, die im Laufe der Wachstumsdynamik verschmelzen. Wir zeigen, daß bei ungehinderter, langreichweitiger Diffusion von Teilchen entlang bestehender Kanten diese Vergröberungsdynamik durch Exponenten beta=1/3 und α=1 charakterisiert wird. Zwar sind die Skalenexponenten unabhängig vom betrachteten Gitter, dieses hat jedoch einen deutlichen Einfluß auf die Hügelform, der weit über die unmittelbaren Symmetrieeffekte hinausgeht. Insbesondere treten im hcp- und bcc-System sowohl metastabile symmetrische Hügel als auch verschmelzende Strukturen auf, die die Gittersymmetrie brechen.