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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.53: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Anfangswachstum von Co auf Cu(100) — •T. Bernhard, M. Lang, R. Pfandzelter und H. Winter — Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Invalidenstr.110, 10115 Berlin

Das anfängliche Wachstum von Co auf Cu(100) wird mittels der streifenden Streuung von 25 keV He-Atomen an der Filmoberfläche untersucht. Aus der Ausbeute spiegelreflektierter Atome können wachstumsrelevante Größen wie z.B. Inseldichten quantitativ bestimmt werden. Bei Temperaturen zwischen Raumtemperatur und etwa 100^∘C finden wir eine von einem Arrhenius-Verhalten abweichende, nichtmonotone Abhängigkeit der Inseldichte von der Temperatur. Bei tieferen Temperaturen zeigt sich Doppellagen-Wachstum. Die Ergebnisse bestätigen Vorhersagen aus DFT-Rechnungen und sind auf Co/Cu-Austauschprozesse zurückzuführen [1].
R.Pentcheva, M. Scheffler, persönliche Mitteilung.