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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.55: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Wachstum auf Diamant – reaktive Adsorption auf der wasserstoffterminierten C(100)–Oberfläche — •M. Mehlhorn1,2, F. Traeger2 und J.–P. Toennies2 — 1Institut für Experimentalphysik, FU Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin — 2MPI für Strömungsforschung, Bunsenstraße 10, 37073 Göttingen
Mit elastischer und inelastischer Heliumatomstrahlstreuung wurden bei
wasserstoffplasma-
bzw. in Olivenöl und 1µm-Al2O3
präparierten Proben unrekonstruierte 2H(1×1)–Oberflächen mit
kleineren
rekonstruierten H(2×1)–Domänen beobachtet.
Der Phasenübergang von dieser zur vollständig rekonstruierten
Oberfläche ist reversibel.
Er wird induziert durch Tempern auf 900 K bzw. Abkühlen in
Wasserstoffatmosphäre. Der Verlauf
der Rayleighmode von C(100)-2H(1×1) entlang
ΓX und
ΓX′ ist in guter Übereinstimmung
mit semiempirischen
Rechnungen [1].
Oberhalb von 820 K, dem Beginn der Wasserstoffdesorption, wurden
einfache
nichtaktivierte Kohlenwasserstoffe (CH4, C2H6 und C2H4)
und Kohlensuboxid (C3O2) auf die Oberfläche dosiert.
Die Exposition von CH4 und C2H6 führt zu keiner Veränderung
im Intensitätsverlauf.
Die Verläufe bei C2H4 und C3O2 lassen
allerdings Schlüsse auf eine
Anlagerung von Molekülbruchstücken zu. Bei C3O2 wird
eine deutlich
schneller ablaufende Rekonstruktion beobachtet. Bei C2H4 zeigt
sich zusätzlich
eine Energieverschiebung der Rayleighmode aufgrund
der veränderten schwingenden Masse.
[1] B. Sandfort, A. Mazur und J. Pollmann, PRB 54, 8605
(1996).