Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.57: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Komplexe Oberflächenstruktur bei Eisensilizidfilmen auf Si(111): c(8×4)-Phase beobachtet mit STM und LEED — •M. Krause, F. Blobner, L. Hammer, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen

Von der Silizierungsreaktion dünner Eisenschichten auf Si(111) ist bekannt, daß sich bei Temperaturen zwischen 450^∘C und 550^∘C eine (2×2)-periodische Überstruktur bildet. Das Wachstum dieser Eisensilizidschichten wurde mit dem Rastertunnelmikroskop untersucht. Es bildet sich schon im Submonolagenbereich eine rauhe Morphologie mit drei unterschiedlichen Inseltypen aus, die jedoch alle (2×2)-Periodizität besitzen. Bei dem zweidimensional gewachsenen Inseltyp wird bei positiven Tunnelspannungen eine zusätzliche Überstruktur auf dieser (2×2)-Anordnung in Form von alternierend helleren und dunkleren Erhebungen sichtbar. Die daraus resultierende c(8×4)-Überstruktur tritt in drei Domänen auf. Dreidimensional gewachsene Inseln zeigen ebenfalls helle und dunkle (2×2)-Einheitszellen, jedoch bildet sich keine offensichtliche großperiodische Ordnung aus. Bei der Silizierung mehrerer Monolagen Eisen bedecken die c(8×4)-geordneten Bereiche einen Großteil der Oberfläche und können als langreichweitig geordnete Überstruktur auch mittels LEED beobachtet werden. Anhand der beobachteten Korrugation und einer Analyse von Antiphasengrenzen werden mögliche Strukturmodelle für die Filmoberfläche vorgestellt.
Gefördert durch die DFG im SFB 292.