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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.58: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Wachstum ultradünner V-Filme auf Rh(111) — •C. Konvicka, E. Napetschnig, M. Schmid und P. Varga — Inst.f.allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstr. 8-10, A-1040 Wien, Austria

Adsorptions- bzw. Reaktionsprozesse an bimetallischen Oberflächen hängen sehr stark von der Zusammensetzung bzw. der chemischen Ordnung der jeweiligen Oberflächenlegierung ab. Um die Oberflächenstruktur des Systems V/Rh(111) genau zu untersuchen, wurden ultradünne V-Filme bei RT auf eine Rh(111) Oberfläche aufgedampft und die Probe anschließend bis auf eine Temperatur von 600^∘C geheizt. Mit Hilfe von Scanning Tunneling Microscopy (STM), Auger Electron Spectroscopy (AES) und Low Energy Ion Scattering (LEIS) wurde die Bildung einer V/Rh-Legierung untersucht. Es hat sich gezeigt, daß der V/Rh Austauschprozeß an der Oberfläche erst bei einer Temperatur von 400^∘C stattfindet. Höhere Temperaturen führen zur Diffusion der V-Atome unter die Oberfläche und zur Bildung einer subsurface-Legierung. Die V-Atome bilden dabei sowohl in der Oberflächen- als auch in der subsurface-Legierung eine lokale (2x2)-Struktur.