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Hamburg 2001 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.60: Poster

Monday, March 26, 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

DFM-Untersuchungen zum Wachstum von Si auf epitaktischen CaF2-Schichten — •M. Grimsehl, A. Klust und J. Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover

Für die Herstellung neuartiger Quantenstrukturbauelemente werden niedrigdimensionale Halbleiter-Isolator-Strukturen hoher Qualität benötigt. Für derartige Heterostrukturen sind Si und CaF2 aufgrund ihrer ähnlichen Kristallstruktur und des geringen Unterschieds der Gitterkonstanten gute Kandidaten.

Bei Wachstumstemperaturen zwischen 500C und 700C wurde durch Molekularstrahlepitaxie Si auf epitaktische CaF2-Schichten aufgebracht. Das Wachstum wurde in situ mit der dynamischen Kraftmikroskopie (DFM) untersucht. Si zeigt im betrachteten Temperaturbereich ein dreidimensionales Wachstum. Bei 500C entstehen kleine, runde Cluster. Mit zunehmender Temperatur treten vermehrt dreieckige, flachere Strukturen in Erscheinung. Für die Herstellung laminarer Si-Schichten muß dieses 3D-Wachstum in ein Lage-für-Lage-Wachstum überführt werden. Die mit dem Ziel einer surfactantmodifizierten Epitaxie durchgeführte Koevaporation von Si und Sb bewirkt keine Veränderung der Wachstumsform in Richtung Lage-für-Lage-Wachstum. Statt dessen wird die Bildung der dreieckigen Strukturen unterdrückt.

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