Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.65: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Messung der Diffusion einzelner Adatome auf Oberflächen mittels in-situ Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskopie — •Guido Piaszenski, Michael Knop und Ulrich Köhler — Experimentalphysik IV, Ruhr-Universität Bochum, Germany

Zum vollständigen Verständnis des epitaktischen Wachstums auf Metall- und Halbleiteroberflächen ist es erforderlich, das Verhalten der verschiedenen Wachstumsspezies auf atomarer Skala zu kennen. Während bereits bei Raumtemperatur die Dynamik vieler Systeme für mikroskopische Untersuchungsmethoden zu groß ist, um einzelne Prozesse zeitlich auflösen zu können, ist es bei tiefen Temperaturen möglich, Informationen über das Verhalten einzelner Adatome direkt mittels STM zu gewinnen.
Auf die abgekühlte Oberfläche der Probe (bis zu 10 K) werden im STM definiert einzelne Atome aus einer MBE-Verdampferquelle aufgebracht, wobei die Bedeckung (typischerweise weniger als 0.01 ML) in-situ anhand von STM-Aufnahmen kontrolliert wird. Die Diffusion einzelner Adatome auf der Oberfläche kann dann in Sequenzen von STM-Bildern verfolgt werden.
Beispielhaft stellen wir Daten zur Diffusion von Eisen-Adatomen auf W(110) und Fe(110) vor.