Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.67: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Substratinduzierte Anisotropie in selbstorganisierenden Systemen molekularer und epitaktischer Adsorptionsschichten - SAM und SAD auf III-V(110) — •Thomas Chassë¹, Dominic Zerulla² und Alexei Preobrajenski² — ¹Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig — ²Wilhelm-Ostwald-Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Leipzig

Wir stellen Resultate der Untersuchungen von Alkanthiolat-SAM auf (110)-Oberflächen von InP und GaP vor, die sich durch jeweils gleiche Konzentrationen von Gruppe III und V-Atomen in der Oberflächenlage auszeichnen. Mittels XANES-Messungen an der C K-Kante konnte eine ausserordentlich hohe Ordnung innnerhalb der Adsorptionsschicht nachgewiesen und ein Zusammenhang der Neigungswinkel der Alkylketten von 34 bzw. 15 Grad mit den unterschiedlichen Gitterkonstanten von InP und GaP aufgezeigt werden. Eine strukturelle Besonderheit stellt dieses System deshalb dar, weil nur genau eine Orientierung der Alkylketten beobachtet wird. Ein zweites selbstorganisierendes System auf InP(110) sind epitaktisch abgeschiedene PbS-Inseln, die bei 270-300C Substrattemperatur ein selbstorganisierendes System weitgehend monodisperser Inseln oder Dots (SAD) bilden. Die PbS-Inseln mit dreieckiger Grundfläche besitzen ebenfalls eine eindeutige Vorzugsorientierung. Die Gemeinsamkeiten dieser beiden selbstorganisierenden Systeme werden in Zusammenhang mit der Anisotropie der Substratoberfläche und der bevorzugten Bindungen diskutiert. Für die Untersuchungen wurden neben PES und XANES auch AFM, STM, XPD und LEED eingesetzt.