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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.70: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Die Atomare Auflösung auf InAs(110) — •Christian Meyer, Jan Klijn, Lilli Sacharow, Markus Morgenstern und Roland Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg, Germany

Im Gegensatz zu III-V-Halbleitern großer Bandlücke, die bisher hauptsächlich untersucht worden sind 1,2, ist bei InAs, einem Material mit geringer Bandlücke, die Oberflächenbandlücke deutlich größer als die Volumenbandlücke. Infolgedessen kann die atomare Auflösung bei kleinen Spannungen nicht unmittelbar durch die Abbildung von Oberflächenzuständen erklärt werden. Besonders überraschend ist die Tatsache, daß auch bei Spannungen in der Volumenbandlücke atomare Auflösung erzielt werden kann.
Detaillierte Konstantstrom- und dI/dV-Messungen wurden mit Hilfe eines 6K/6T-Rastertunnelmikroskops an in-situ gespaltenen InAs(110)-Proben durchgeführt. Gleichzeitige Messungen von dI/dz sowie der Energiezustände des spitzeninduzierten Quantenpunktes 3 erlauben eine Zuordnung der Messdaten zur lokalen Probenzustandsdichte. Diese wird mit Dichtefunktionalrechnungen verglichen.
1 Ph. Ebert et. al. Phys. Rev. Lett, 77 (1996) 2997.
2 B. Engels et. al. Phys. Rev. B, 58 (1998) 7799.
3 R. Dombrowski et. al. Phys. Rev. B, 59 (1999) 8043.