Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.71: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Streulichtuntersuchungen und Neigungsmikroskopie an geheizten Si-Oberflächen — •S. Schröder und M. Henzler — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, 30167 Hannover
Das Annealing von Si-Wafern ist eine Methode der Behandlung von Si-Wafern, die der Qualitätsverbesserung bezüglich der in den Roadmaps von der Halbleiterindustrie geforderten Kriterien dienen soll. Um Si-Oberflächen zu begutachten, wurde im Institut für Festkörperphysik eine Streulichtapparatur aufgebaut, mit der ein Oberflächenausschnitt von 20× 20 mm2 mit einem Laser abgerastert und das von der Probe emittierte Streulicht detektiert werden kann. Mit einer Ortsauflösung von 10 µm können so die Raumwellenlängen von 1 µm – 7 µm aufgenommen werden. Die ortsaufgelöste Streulichtintensität variiert bei polierten Siliciumscheiben und konnte mit den Rauhigkeiten aus AFM-Messungen nach Separation des Instrumenteneinflusses korreliert werden. Zusätzlich kann durch Detektion des spekular reflektierten Strahls die lokale Neigung für einen Bereich von jeweils 10 µm Durchmesser (dem Fokusfleckdurchmesser) bestimmt werden. In dieser Arbeit stand die Untersuchung von defektfreien Regionen auf einem Wafer vor und nach einem Heizprozeß im Vordergrund. Durch Integration des Neigungssignales kann die Topographie, bis zum maximal betrachteten Rasterbereich von 2 mm2 Kantenlänge zurückgerechnet werden kann. Der Heizprozeß fand in einem O2-Ambient bei verschiedenen Drücken statt. Diese Arbeit versteht sich als Machbarkeitsstudie zur folgenden Untersuchung von in verschiedenen Atmosphären zu heizenden strukturierten Si-Wafern.