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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.79: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Winkelaufgelöste Photoelektronenbeugung an der Si(100) - Oberfläche bei niedriger kinetischer Energie — •Mark Schürmann¹, Stefan Dreiner¹, Carsten Westphal^1,2 und Helmut Zacharias¹ — ¹Physikalisches Institut, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster — ²Lehrstuhl für Experimentelle Physik I, Universität Dortmund, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund

Zur Gewinnung von Informationen aus gemessenen Photoelektronenbeugungsmustern bedarf es i.a. eines Vergleichs mit Simulationsrechnungen. Während für hohe kinetische Energien der Photoelektronen häufig schon eine Einfachstreurechnung zur Interpretation der Meßdaten genügt, nimmt bei niedrigen kinetischen Energien der Einfluß der Vielfachstreuung zu. Weiterhin ist aufgrund der isotropen Streuamplitude in diesem Energiebereich keine direkte Identifizierung der interatomaren Achsen mit den Richtungen der Streumaxima möglich. Bei niedrigen kinetischen Energien (im Bereich des Minimums der mittleren freien Weglänge) sind Messungen zudem sehr oberflächenempfindlich und eine Rekonstruktion der Oberfläche hat großen Einfluß auf das Photoelektronenbeugungsmuster.

An der Si(100) - Oberfläche wurden bei niedriger kinetischer Energie der Photoelektronen Beugungsmuster gemessen. Mit Hilfe von Simulationsrechnungen werden die Meßergebnisse interpretiert. Dabei wird im Detail diskutiert, welche Strukturparameter einen großen Einfluß auf die gemessenen Beugungsmuster haben.