Hamburg 2001 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 16: Elektronische Struktur (II)
O 16.3: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 11:45–12:00, B
Oberflächenzustände der (2 × 1)- und der (3 × 2)-rekonstruierten 3C-SiC(001) Oberfläche — •C. Benesch, H. Merz und H. Zacharias — Physikalisches Institut, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster
Mit Hilfe der winkelaufgelösten inversen Photoemission wurde die Dispersion der unbesetzten elektronischen Zustände der zweidomänigen (2 × 1)- und (3 × 2)-rekonstruierten 3C-SiC(001) Oberfläche bestimmt. Bei der (2 × 1)-rekonstruierten Oberfläche konnten am Γ Punkt zwei unbesetzte elektronische Zustände bei Ess = 2,2 eV und Esr = 3,6 eV in bezug auf das Valenzbandmaximum (VBM) experimentell bestimmt werden. Durch einen Vergleich mit theoretischen Oberflächenbandstrukturen konnten beide Zustände aufgrund ihrer Lage in der Volumenbandlücke der Oberfläche zugeordnet werden. Bei der (3 × 2)-rekonstruierten Oberfläche konnten ebenfalls zwei unbesetzte elektronische Zustände gemessen werden. Sie liegen am Γ Punkt bei Esr = 2,9 eV bzw. Esr = 4,5 eV bezüglich VBM. Die Strukturen im IPE-Spektrum zeigen nach mehreren Stunden bzw. nach Begasung mit Wasserstoff eine deutliche Verringerung der Intensität, wodurch sie der Oberfläche zugeordnet werden können.