Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 16: Elektronische Struktur (II)
O 16.5: Vortrag
Dienstag, 27. März 2001, 12:15–12:30, B
Elektronische Struktur von Quasikristallen: Dispersion von s-p und d-abgeleiteten Valenzzuständen — •K. Franke2,3, E. Rotenberg1, W. Theis2, K. Horn3 und P. Gille4 — 1Advanced Light Source, Lawrence Berkeley Lab, USA — 2Institut für Experimentalphysik der Freien Universität Berlin — 3Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin — 4Institut für Kristallographie und Angewandte Mineralogie der Ludwig-Maximilans-Universität München
Die Struktur von Quasikristallen ist bei hoher atomarer Ordnung durch eine fehlende Translationssymmetrie gekennzeichnet. Daher erscheint eine Beschreibung von elektronischen Strukturen mit Blochzuständen nicht möglich. Jedoch wurde vor kurzem ein bandartiges Verhalten der Valenzelektronen beobachtet, welches durch das Konzept einer "Quasi-Brillouin-Zone" erklärt werden kann [1]. Hier untersuchen wir mittels winkelaufgelöster Photoemission an der zehnzähligen und den beiden inäquivalenten zweizähligen Oberflächen von dekagonalem AlNiCo die Eigenschaften der s-p- und d-Valenzzustände dieses Quasikristalles. Unsere Daten zeigen klare Linien in der Photoemission aus den s-p Bändern, deren Dispersion anhand der aus LEED-Bildern abgeleiteten Struktur des reziproken Raumes verstanden werden kann. Im d-Bandbereich und mit zunehmender Annäherung an das Fermi-Niveau zeigen die elektronischen Zustände eine Fülle von Details, und eine starke Dispersion in der quasikristallinen Ebene wie auch in der periodischen Richtung des Quasikristalls. Dieses bedeutet, daß die Zustände in dekagonalem AlNiCo in allen drei Raumrichtungen delokalisiert sind.
[1] E.Rotenberg, W.Theis, K.Horn, P.Gille, Nature 408, 602(2000)