Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 16: Elektronische Struktur (II)

O 16.7: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 12:45–13:00, B

Der Einfluß geometrischer Relaxation auf elektronische Anregungen an Halbleiter-Oberflächen — •Michael Rohlfing und Johannes Pollmann — Institut für Festkörpertheorie, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster

Anhand des Oberflächen-Exzitons [1] auf der Si(111)-(2x1) Oberfläche wird das Wechselspiel zwischen angeregten elektronischen Zuständen und der geometrischen Struktur untersucht. Es zeigt sich, daß durch strukturelle Relaxation die Energie des angeregten Zustandes erheblich abgesenkt werden kann. Gleichzeitig kommt es zum Self-Trapping des Exzitons. Diese Effekte haben wesentlichen Einfluß auf die spektrale Linienbreite des Exzitons, wie sie etwa im Differentiellen Reflektivitäts-Spektrum [2] beobachtet wird, und ihre Temperaturabhängigkeit. Die Beschreibung des Problems erfolgt mittels einer Kombination aus Dichtefunktional-Theorie, Vielteilchen-Störungsrechnung (Quasiteilchen-Korrekturen und Elektron-Loch Wechselwirkung) und Tight-Binding Rechnungen für eine lateral vergrößerte Einheitszelle.

[1] M. Rohlfing und S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 83, 856 (1999).

[2] F. Ciccacci et al., Phys. Rev. Lett. 56, 2411 (1986).