O 16: Elektronische Struktur (II)
Tuesday, March 27, 2001, 11:15–13:15, B
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11:15 |
O 16.1 |
Lokale inverse Photoemission von Quantum Well States — •Germar Hoffmann, Jörg Kliewer und Richard Berndt
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11:30 |
O 16.2 |
Wechselwirkung zwischen vibronischen und elektronischen Oberflächenzuständen auf Mo(110) — •Jörg Kröger, Thomas Greber, Jürg Osterwalder, Dieter Bruchmann, Sieghart Lehwald, and Harald Ibach
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11:45 |
O 16.3 |
Oberflächenzustände der (2 × 1)- und der (3 × 2)-rekonstruierten 3C-SiC(001) Oberfläche — •C. Benesch, H. Merz und H. Zacharias
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12:00 |
O 16.4 |
Electronic Structure of GaSe-passivated Si(111) surfaces — •A. Klein, R. Rudolph, C. Pettenkofer, A. Bostwick, J. Adams, M. Olmstead, R. Fritsche, and W. Jaegermann
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12:15 |
O 16.5 |
Elektronische Struktur von Quasikristallen: Dispersion von s-p und d-abgeleiteten Valenzzuständen — •K. Franke, E. Rotenberg, W. Theis, K. Horn und P. Gille
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12:30 |
O 16.6 |
Dispersion von Quantentopf-Zuständen in ultradünnen Aluminium-Filmen auf Si(111): Einfluß der Substratbänder — •Lucia Aballe, Celia Rogero, Shubha Gokhale und Karsten Horn
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12:45 |
O 16.7 |
Der Einfluß geometrischer Relaxation auf elektronische Anregungen an Halbleiter-Oberflächen — •Michael Rohlfing und Johannes Pollmann
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13:00 |
O 16.8 |
Quantentopf-Zustände in ultradünnen Magnesium-Filmen auf Si(111) — •Lucia Aballe, Celia Rogero und Karsten Horn
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