Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen
O 18.3: Vortrag
Dienstag, 27. März 2001, 11:45–12:00, M
Struktur der SiO2/ Si(111)-Grenzfläche — •S. Dreiner1, M. Schürmann1, C. Westphal1,2 und H. Zacharias1 — 1Physikalisches Institut, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster — 2Lehrstuhl für Experimentelle Physik I, Univerität Dortmund, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund
Die SiO2 / Si Grenzschicht spielt eine wichtige Rolle in der modernen Halbleiterindustrie. Ein besseres Verständnis der Grenzschichtstruktur kann die Qualität von Halbleiterbauelementen verbessern. Die untersuchten SiO2/Si(111) Schichten mit einer Dicke von wenigen Ångström wurden durch thermische Oxidation erzeugt. Am Synchrotron (BESSY II, U 49/1 SGM) wurden hochaufgelöste Si 2p-Photoemissionsspektren mit hν =155 und 230 eV gemessen, wobei die durch die chemical shift" verschobenen Linien den verschiedenen Oxidationsstufen zugeordnet werden[1,2]. Jede Oxidationsstufe zeigt eine eigene Modulation der Photoelektronenintensität als Funktion des Emissionswinkels. Gemessene Photoelektronenbeugungsmuster werden mit Vielfachstreurechnungen für einfache Strukturmodell-Cluster verglichen. Die Strukturparameter, die die experimentellen Daten am besten beschreiben, wurden über eine R-Faktor-Analyse ermittelt.
[1] F.J. Himpsel et al., Phys. Rev. B 38 (1988) 6084
[2] M.T. Sieger et al., Phys. Rev. Lett. 77 (1996) 2758