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Hamburg 2001 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen

O 18.4: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 12:00–12:15, M

Winkelaufgelöste Photoemission der Oberflächenrekonstruktionen von 4H-SiC(0001) — •Michael Wiets, Martin Weinelt und Thomas Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen, Germany

[(3×3), (√3×√3)R30, (6√3×6√3)R30] von 4H-SiC(0001) wurden mittels winkelaufgelöster Photoemissionsspektroskopie (ARUPS) untersucht. Der Übergang zwischen den einzelnen Rekonstruktionen in Abhängigkeit von der Anlaßtemperatur kann sehr gut in den ARUPS-Spektren identifiziert werden.
Schwerpunkt wurde auf die (√3×√3)R30-Rekonstruktion gelegt, deren korrekte Präparation mit Hilfe von LEED und XPS verifiziert wurde. Der besetzte Oberflächenzustand dieser Rekonstruktion wurde in Normalenemission bei einer Energie von 1,02 eV unter EFermi detektiert und zusätzlich über einen weiten k-Bereich (Γ-M-Γ-M-Γ) vermessen. Seine Dispersion zeigt die erwartete Periodizität mit einer Bandbreite von ca. 0,19 eV.
Zusätzliche Strukturen im Spektrum werden diskutiert, sowie ein Vergleich mit Untersuchungen an 6H-SiC(0001) und Messungen mittels Zweiphotonenphotoemissionsspektroskopie (2PPE) durchgeführt.

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