Hamburg 2001 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen
O 18.4: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 12:00–12:15, M
Winkelaufgelöste Photoemission der Oberflächenrekonstruktionen von 4H-SiC(0001) — •Michael Wiets, Martin Weinelt und Thomas Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen, Germany
[(3×3),
(√3×√3)R30∘,
(6√3×6√3)R30∘] von
4H-SiC(0001) wurden mittels winkelaufgelöster
Photoemissionsspektroskopie (ARUPS) untersucht. Der Übergang
zwischen den einzelnen Rekonstruktionen in Abhängigkeit von der
Anlaßtemperatur kann sehr gut in den ARUPS-Spektren identifiziert
werden.
Schwerpunkt wurde auf die
(√3×√3)R30∘-Rekonstruktion
gelegt, deren korrekte Präparation mit Hilfe von LEED und XPS
verifiziert wurde. Der besetzte Oberflächenzustand dieser
Rekonstruktion wurde in Normalenemission bei einer Energie von
1,02 eV unter EFermi detektiert und zusätzlich über
einen weiten k∥-Bereich
(Γ-M-Γ-M-Γ)
vermessen. Seine Dispersion zeigt die erwartete Periodizität mit
einer Bandbreite von ca. 0,19 eV.
Zusätzliche Strukturen im Spektrum werden diskutiert, sowie ein
Vergleich mit Untersuchungen an 6H-SiC(0001) und Messungen mittels
Zweiphotonenphotoemissionsspektroskopie (2PPE) durchgeführt.