Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen

O 18.5: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 12:15–12:30, M

Photoemission an elektrochemisch präparierten GaAs-Oberflächen: Hochaufgelöste SXP-Spektren am Strahlrohr U49/2 bei BESSY II — •Martin Beerbom, Thomas Mayer und Wolfram Jaegermann — Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Fachgebiet Oberflächenforschung, Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt

In der Halbleitertechnologie werden häufig (photo-)elektrochemische Verfahren zur Präparation von Oberflächen eingesetzt, deren Wirkungsweise insbesondere bei GaAs jedoch nicht im Detail verstanden sind. Zur Untersuchung der elektrochemischen Reaktionen auf atomistischer bietet sich die Kombination (klassischer) elektrochemischer Verfahren, wie z. B. Zyklische Voltammetrie oder Impedanzspektroskopie mit oberflächenphysikalischen Methoden wie XPS oder SXPS an. Die SXPS bietet hierbei maximale Oberflächenempfindlichkeit. Wir haben daher ein System aufgebaut, mit dem derartige Kombinationsmessungen möglich sind. Präsentiert werden hier die ersten Ergebnisse mit dieser Apparatur. Durchgeführt wurden die Experimente bei BESSY II am Undulator U49/2. Als Elektrolyten wurden HCl und KBr gelöst in Wasser verwendet. Dabei reagiert KBr ohne elektrisches Potential nicht chemisch mit dem Substrat. Durch Anlegen eines kathodischen bzw. anodischen Potentials konnten dabei entsprechende Veränderungen der Oberfläche hervorgerufen und mit SXPS nachgewiesen werden. Eine Korrelation der geflossenen Ladung (Faraday-Strom) mit der gemessenen Konzentration von Reaktionsprodukten auf der Oberfläche ist möglich.