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O: Oberflächenphysik

O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen

O 18.7: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 12:45–13:00, M

Die atomare Oberflächenstruktur von InAs-Quantenpunkten auf GaAs(001) — •E. Temko, J. Marquez, L. Geelhaar und K. Jacobi — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin

InAs wurde auf GaAs(001) mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) abgeschieden, bis sich dreidimensionale Inseln bildeten. In diesem Moment wurde das Wachstum unterbrochen, und die Proben wurden schnell auf Raumtemperatur abgekühlt. Die InAs-Inseln waren von gleicher Größe wie die bekannten, in einer GaAs-Matrix eingebetteten InAs-Quantenpunkte. Die Proben wurden dann ohne Vakuum-Unterbrechung (in situ) mit dem Rastertunnelmikroskop (STM) untersucht. Atomar-aufgelöste Aufnahmen der Quantenpunkte zeigen, daß deren hauptsächliche Begrenzungsflächen nicht aus nieder-dimensionalen Flächen wie {110}, {111} oder {100} bestehen. Unter Zuhilfenahme von Untersuchungen an hochindizierten Oberflächen [1] innerhalb des stereographischen Dreiecks wurde die Orientierung der bestimmenden Begrenzungsflächen als (137) identifiziert. Die Experimente zeigten, daß GaAs(137) keine stabile Oberfläche darstellt. Wir diskutieren die Möglichkeit, daß (137) zwar im Bereich weniger Einheitszellen hinreichend stabil ist, nicht dagegen in größeren Bereichen. Aus dieser Vorstellung läßt sich eine Begründung für die relativ scharfe Größenverteilung der InAs-Quantenpunkte ableiten. [1] K. Jacobi in Symposium SYRW: "Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen"