O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen
Dienstag, 27. März 2001, 11:15–13:15, M
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11:15 |
O 18.1 |
Photoluminescence measurements of the electronic properties of hydrogenated and reconstructed Si surfaces — •Thomas Dittrich, Frederick Koch, Thomas Bitzer, Thomas Rada, Neville V. Richardson, Joerg Rappich, and Victor Yu. Timoshenko
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11:30 |
O 18.2 |
Boron-Stabilized c(4×8) Structure of Clean Si(001) — •Hans-Joachim Müssig, Konstantin Ignatovich, Victor Zavodinsky, and Jarek Dabrowski
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11:45 |
O 18.3 |
Struktur der SiO2/ Si(111)-Grenzfläche — •S. Dreiner, M. Schürmann, C. Westphal und H. Zacharias
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12:00 |
O 18.4 |
Winkelaufgelöste Photoemission der Oberflächenrekonstruktionen von 4H-SiC(0001) — •Michael Wiets, Martin Weinelt und Thomas Fauster
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12:15 |
O 18.5 |
Photoemission an elektrochemisch präparierten GaAs-Oberflächen: Hochaufgelöste SXP-Spektren am Strahlrohr U49/2 bei BESSY II — •Martin Beerbom, Thomas Mayer und Wolfram Jaegermann
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12:30 |
O 18.6 |
Subsurface Dimerization in III-V Compound Semiconductor (001)-Surfaces — •Christian Kumpf, Detlef Smilgies, Erik Landemark, Mourits Nielsen, Oliver Bunk, Jan H. Zeysing, Yixi Su, Robert L. Johnson, Jörg Zegenhagen, and Robert Feidenhans’l
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12:45 |
O 18.7 |
Die atomare Oberflächenstruktur von InAs-Quantenpunkten auf GaAs(001) — •E. Temko, J. Marquez, L. Geelhaar und K. Jacobi
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13:00 |
O 18.8 |
Simulation von Sublimation und Atomlagenepiaxie rekonstruierter Oberflächen — •Martin Ahr und Michael Biehl
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