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Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 22: Epitaxie und Wachstum (I)

Dienstag, 27. März 2001, 16:15–18:45, C

16:15 O 22.1 Mechanismen des Inselwachstums bei der Homoepitaxie auf Al(111) — •Henri Hansen, Winfried Langenkamp und Thomas Michely
16:30 O 22.2 Aluminium-Adatomdiffusion und Verunreinigungen auf Al (111) — •Winfried Langenkamp, Henri Hansen und Thomas Michely
16:45 O 22.3 Ab-initio Studien zur Stapelung von Zn-Lagen auf Al(111) — •S. Müller und K. Heinz
17:00 O 22.4 Anfangsstadien des Wachstums von Eisenfilmen auf der unrekonstruierten und der rekonstruierten Ir(100)-Oberfläche — •W. Meier, L. Hammer und K. Heinz
17:15 O 22.5 Struktur und Stress im System Fe/W(110) — •H.L. Meyerheim, D. Sander, R. Popescu, J. Kirschner, P. Steadman und S. Ferrer
17:30 O 22.6 Wachstum von Mn und V Filmen auf Cu3Au(100) — •Mirco Müller, Ralf-Peter Blum und Horst Niehus
17:45 O 22.7 Concentration dependent two-dimensional “glass” formation in the system Dy/Mo(112) — •H. Pfnür, A. Fedorus, V. Koval, A. Naumovets, G. Godzik und D. Krügel
18:00 O 22.8 Diffusion von Adatomen auf (100),(110) und (111) Oberflächen von Cu und Ni: Vorfaktoren und Aktivierungsbarrieren — •Ulrike Kürpick und Burkhard Fricke
18:15 O 22.9 Alkalihalogenide auf vicinalen Metallsubstraten: Lagenwachstum kontra Adsorbat-induzierte Oberflächenfacettierung — •A. Riemann, S. Fölsch, J. Repp, G. Meyer und K.H. Rieder
18:30 O 22.10 Wachstum ultraglatter dünner Goldfilme auf Saphir mit Niob-Keimschicht — •G. Kästle, H.-G. Boyen, A. Plettl und P. Ziemann
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