Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 23: Oxide und Isolatoren (I)

O 23.7: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 17:45–18:00, M

Oxidationsinduzierte Umordnung der NiAl(110)/Al₂O₃ Grenzfläche — •A. Stierle, F. Renner, R. Streitel und H. Dosch — Max-Planck Institut für Metallforschung, Heisenbergstraße 1, 70569 Stuttgart

Wir haben das Oxidationsverhalten einer NiAl(110) Einkristalloberfläche mit Hilfe von Oberflächenröntgenbeugung am HASYLAB und an der ESRF untersucht. Wir stellen einen starken Einfluss der anfänglichen Oxidationstemperatur auf Störung der Besetzungsordnung der ersten beiden NiAl(110) Lagen fest. Nach Oxidation bei 370 K finden wir Bildung von Al Antisite Atomen und Fehlstellen in der ersten NiAl(110) Lage an der Grenzfläche, sowie Bildung von Al und Ni Fehlstellen. In der zweiten Atomlage liefern unsere Anpassungen an die Daten Ni Antisite Atome und Al Fehlstellen. Die Struktur und Zusammensetzung der ursprünglichen NiAl(110) Oberfläche wird nach Oxidation bei 570 K nahezu vollständig wieder hergestellt. Weiterhin haben wir die Struktur der nach Oxidation bei 570 K und nach Annealing bei 1000 K erzeugten hexagonal verzerrten Al₂O₃ Schicht analysiert. Wir werden ein Strukturmodell dieser Oxidschicht vorstellen, welches den Einfluss des Substrats und der freien Oberfläche auf die Oxidstruktur verdeutlicht.